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内容简介

本书内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。

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ISBN：9787121289255

开本：16(185*260)

页数：452

字数：813

本书目录

第1章半导体二极管
1.1概述
1.2半导体材料：锗、硅和砷化镓
1.3共价键和本征材料
1.4掺杂材料：n型材料和p型材料
1.5半导体二极管
1.6理想特性与实际特性
1.7电阻水平
1.8二极管等效电路
1.9势垒电容和扩散电容
1.10反向恢复时间
1.11二极管规格表
1.12半导体二极管符号
1.13齐纳二极管
1.14发光二极管
1.15小结
1.16计算机分析
习题
第2章二极管应用
2.1概述
2.2负载线分析
2.3等效模型分析
2.4与/或门
2.5正弦波输入、半波整流
2.6全波整流
2.7限幅电路
2.8钳位电路
2.9齐纳二极管
2.10小结
习题
第3章双极性结型晶体管
3.1概述
3.2晶体管的结构
3.3晶体管的工作原理
3.4共基组态
3.5晶体管放大原理
3.6共射组态
3.7共集组态
3.8晶体管的工作限
3.9晶体管规格说明书
3.10晶体管外形及引脚识别
3.11小结
习题
第4章BJT电路直流偏置
4.1概述
4.2工作点
4.3固定偏置电路
4.4射极偏置
4.5分压式偏置
4.6电压反馈式直流偏置
4.7其他偏置电路
4.8晶体管开关电路
4.9pnp型晶体管
4.10偏置的稳定性
4.11小结
习题
第5章BJT交流分析
5.1概述
5.2交流放大
5.3BJT管建模
5.4re晶体管模型
5.5混合等效模型
5.6混合π模型
5.7晶体管参数的变化
5.8固定偏置共射放大电路
5.9分压式偏置共射放大电路
5.10射极偏置共射放大电路
5.11射极跟随电路
5.12共基电路
5.13集电极反馈电路
5.14集电极直流反馈电路
5.15电流放大倍数的确定
5.16RL和RS的影响
5.17双端口网络方法
5.18总结表
5.19级联系统
5.20达林顿复合管
5.21反馈对复合管
5.22镜像电流源电路
5.23电流源电路
5.24简化混合等效模型
5.25小结
习题
第6章场效应晶体管
6.1概述
6.2结型场效应管的构造和特性
6.3转移特性
6.4规格清单（结型场效应管）
6.5重要关系
6.6耗尽型MOS场效应管
6.7增强型MOS场效应管
6.8互补型MOS场效应管
6.9总结表
6.10小结
习题
第7章场效应管的偏置
7.1概述
7.2固定偏置电路
7.3自偏置电路
7.4分压偏置电路
7.5耗尽型MOSFET
7.6增强型MOSFET
7.7总结表
7.8组合电路
7.9p沟道场效应管
7.10小结
习题
第8章场效应管放大器
8.1概述
8.2场效应管的小信号模型
8.3结型场效应管固定偏置的共源放大电路
8.4结型场效应管自偏置的共源放大电路
8.5结型场效应管分压偏置的共源放大电路
8.6结型场效应管的源极跟随器（共漏极）电路
8.7结型场效应管的共栅极电路
8.8耗尽型MOSFET
8.9增强型MOSFET
8.10增强型MOSFET漏极反馈共源放大电路
8.11增强型MOSFET分压偏置共源放大电路
8.12总结表
8.13RL和Rsig的影响
8.14级联电路
8.15小结
习题
第9章BJT和FET的频率响应
9.1概述
9.2一般的频率因素
9.3低频分析——伯德图
9.4低频响应——BJT放大器
9.5低频响应——FET放大器
9.6密勒效应电容或密勒电容
9.7高频响应——BJT放大器
9.8高频响应——FET放大器
9.9多级频率响应
9.10小结
习题
第10章运算放大器
10.1概述
10.2差分放大电路
10.3差模和共模操作
10.4BiFET, BiMOS和CMOS构成的差分放大电路
10.5运算放大器基础
10.6运算放大器参数——直流补偿参数
10.7运算放大器参数——频率参数
10.8运算放大器规格说明书
10.9小结
习题
第11章运算放大器的应用
11.1运算电路
11.2有源滤波器
11.3比较器应用
11.4施密特触发器
11.5小结
习题
第12章功率放大器
12.1概述——功率放大器的定义与类型
12.2串馈型甲类功率放大器
12.3变压器耦合甲类功率放大器
12.4乙类功率放大器的工作
12.5乙类功率放大器
12.6丙类和丁类功率放大器
12.7小结
习题
第13章反馈电路
13.1反馈的概念
13.2反馈的组态类型
13.3实用反馈电路
13.4反馈放大器——相位和频率考虑
13.5小结
习题

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前言

本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础，两位作者都是从事多年相关教学工作的教授，并已出版多本教材。本书自1972年首次出版至今已经修订至第十一版，涵盖了更广泛和新颖的内容，成为流行30多年的优秀经典教材。本改编版在原版内容的基础上，结合国内高等教育中模拟电子电路课程开展英语或双语教学的特点，进行了部分内容的调整，涵盖如下知识点：
● 半导体二极管
● 二极管应用电路
● 双极型晶体管BJT基础
● BJT放大电路的直流偏置电路分析
● BJT放大电路的交流分析
● 场效应晶体管FET基础
● FET放大电路的直流偏置电路分析
● FET放大电路的交流分析
● BJT和FET放大电路的频率响应分析
● 模拟集成运算放大器基础
● 运算放大器和比较器的应用电路
● 功率放大电路
● 反馈放大电路

译者序


本书是改编版《模拟电子技术（第二版）（英文版）》的中译本，可以与英文版教材配套使用，适合电子、计算机、通信等相关专业电子电路基础课程40学时到68学时的英语或双语教学要求。本书也可作为相关专业工程技术人员的中文参考书。为了与英文版教材对照，本书中的所有符号沿用英文版中的符号。
原著作自1972年首次出版后，被多所大学作为教材使用，经过不断实践与修订，成为流行四十多年的优秀经典教材。Electronic Devices and Circuit Theory, Eleventh Edition涵盖了更为广泛和新颖的内容，其内容体系与国内高校电子电路基础相关课程的教学内容体系有较高的一致性，仅在一些内容细节安排上与国内相关专业的理论教学课程设置以及实验课程设置存在不协调或者重复现象。基于此，为了使教材内容更合理，满足国内高等教育相关专业英语或双语“电子电路基础”课程的教学要求，李立华于2007年对原著进行了改编，精简内容，突出重点，补充了必要知识点。并且从2007年开始，李立华及其课程组将改编版英文教材应用于北京邮电大学国际学院“电子电路基础”课程的双语教学中，多年来取得了良好的效果。
在进行电子电路基础双语教学的多年实践中，一方面体会到一本范围和内容适合的英文教材的重要性，同时也感受到学生对于配套中文教材的迫切需要。尤其对于电子类课程的英语或者双语授课，知识难度和英语授课都增加了学生学好这些课程的难度，有一本与英文教材配套的中文教材作为辅助，便于学生在有限学时下把握重点，深入理解，提高学生自学的效率，也可以为不同基础和不同目标的读者提供更好的帮助和更多的选择。因此，这本优秀英文教材的中译本便应运而生。
本书的内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。例如，随着可见光技术的新发展，本书补充了发光二极管的基本知识。本书的组织非常合理：每一章都增加了知识重点提示，同时配有概述，介绍本章的基本内容和重要的背景知识；每章最后都有小结，总结本章的基本概念和结论；并且每章最后都提供重要的公式列表，以便于读者复习。值得一提的是，本书提供了丰富的例题和非常详尽的解答，同时每章还提供了大量的练习题，对于提高读者对电子电路知识的应用能力大有帮助。对于重要参数、公式、结论和概念，本书采用不同字体样式来突出表示，同时提供了大量总结性图表，增强了可读性。本书上述特点使其不仅可以作为一本优秀的教材，也可以作为电子、计算机、通信等相关专业的一本很有价值的参考书。
李立华负责全书的审校，并且在最新的版本中对教材使用中出现的问题、以及译文进行了修订。前言及第3章至第5章、第10章和第11章由李立华翻译，第6章至第9章由李永华翻译，第1章和第2章由许晓东翻译，第12章和第13章由王莹翻译。在本书的翻译过程中，北京邮电大学蔺志清教授、刘宝玲教授和已退休的张春茂教授都给予了大量的帮助和指导，译者在此表示衷心感谢！
由于译者水平有限，书中难免存在错误与不妥之处，恳请广大读者批评指正。

译者
北京邮电大学
2016年5月

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