射频与微波晶体管放大器基础
丛 书 名：
国外电子与通信教材系列
作 译 者：鲍景富,孙玲玲 等
出 版 日 期：2013-03-01
书 代 号：G0196391
Ｉ Ｓ Ｂ Ｎ：9787121196393
图书简介：
本书全面讲解了射频与微波晶体管放大器的各种类型，包括低噪声、窄带、宽带、线性、高功率、高效率、高压放大器，以及离散、单片集成与混合集成放大器。主要的研究主题包括晶体管建模、分析、设计、表征、测量、封装、热设计及制造技术。本书特别强调理论与实践的结合，读者将了解并学会解决与放大器相关的各类设计问题，从放大器的匹配网络设计、偏置电路设计到稳定性分析等。超过160道的习题有助于提高读者对基本的放大器和电路设计技巧的掌握。
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图 书 内 容
内容简介
本书全面讲解了射频与微波晶体管放大器的各种类型，包括低噪声、窄带、宽带、线性、高功率、高效率、高压放大器，以及离散、单片集成与混合集成放大器。主要的研究主题包括晶体管建模、分析、设计、表征、测量、封装、热设计及制造技术。本书特别强调理论与实践的结合，读者将了解并学会解决与放大器相关的各类设计问题，从放大器的匹配网络设计、偏置电路设计到稳定性分析等。超过160道的习题有助于提高读者对基本的放大器和电路设计技巧的掌握。图书详情
ISBN：9787121196393开 本：16(185*260)页 数：512字 数：901.0本书目录
第1章 引言 1.1 晶体管放大器 1.2 晶体管放大器的早期历史 1.3 晶体管放大器的优点 1.4 晶体管 1.5 放大器的设计 1.6 放大器制造技术 1.7 放大器的应用 1.8 放大器的成本 1.9 目前的趋势 1.10 本书的结构 参考文献 第2章 线性网络分析 2.1 阻抗矩阵 2.2 导纳矩阵 2.3 ABCD参数 2.4 S参数 2.4.1 单端口网络的S参数 2.5 双端口参数之间的关系 参考文献 习题 第3章 放大器特性和定义 3.1 带宽 3.2 功率增益 3.3 输入和输出电压驻波比 3.4 输出功率 3.5 功率附加效率 3.6 交调失真 3.6.1 IP3 3.6.2 ACPR 3.6.3 EVM 3.7 谐波功率 3.8 峰均比 3.9 合成器效率 3.10 噪声特性 3.10.1 噪声系数 3.10.2 噪声温度 3.10.3 噪声带宽 3.10.4 最佳噪声匹配 3.10.5 等噪声系数圆和等增益圆 3.10.6 输入和噪声同时匹配 3.11 动态范围 3.12 多级放大器特性 3.12.1 多级放大器IP3 3.12.2 多级放大器PAE 3.12.3 多级放大器噪声系数 3.13 栅极和漏极的推移因子 3.14 放大器的温度系数 3.15 平均失效时间 参考文献 习题 第4章 晶体管 4.1 晶体管类型 4.2 硅双极型晶体管 4.2.1 关键性能系数 4.2.2 硅双极型晶体管的高频 噪声特性 4.2.3 功率特性 4.3 GaAs MESFET 4.3.1 小信号等效电路 4.3.2 性能系数 4.3.3 MESFET器件的高频 噪声特性 4.4 异质结场效应晶体管 4.4.1 HEMT器件的高频噪声 性能 4.4.2 磷化铟pHEMT器件 4.5 异质结双极型晶体管 4.5.1 HBT的高频噪声特性 4.5.2 SiGe异质结双极型 晶体管 4.6 MOSFET 参考文献 习题 第5章 晶体管模型 5.1 晶体管模型的类型 5.1.1 基于物理学/电磁学理 论的模型 5.1.2 解析或混合模型 5.1.3 以测量结果为基础的 模型 5.2 MESFET模型 5.2.1 线性模型 5.2.2 非线性模型 5.3 pHEMT模型 5.3.1 线性模型 5.3.2 非线性模型 5.4 HBT模型 5.5 MOSFET模型 5.6 BJT模型 5.7 晶体管模型缩放 5.8 源牵引和负载牵引数据 5.8.1 理论负载牵引数据 5.8.2 测试功率和PAE的源牵引 和负载牵引 5.8.3 测试IP3的源和负载 阻抗 5.8.4 源和负载阻抗尺度变化 5.9 依赖温度的模型 参考文献 习题 第6章 匹配电路的元件 6.1 阻抗匹配元件 6.2 传输线匹配元件 6.2.1 微带线 6.2.2 共面线 6.3 集总元件 6.3.1 电容 6.3.2 电感 6.3.3 电阻 6.4 键合线电感 6.4.1 单线 6.4.2 地平面效应 6.4.3 多路线 6.4.4 线允许的最大电流 6.5 宽带电感 参考文献 习题 第7章 阻抗匹配技术 7.1 单端口和双端口网络 7.2 窄带匹配技术 7.2.1 集总元件匹配技术 7.2.2 传输线匹配技术 7.3 宽带匹配技术 7.3.1 增益-带宽限制 7.3.2 集总元件宽带匹配技术 7.3.3 传输线宽带匹配网络 7.3.4 巴伦型宽带匹配技术 7.3.5 T形桥式匹配网络 参考文献 习题 第8章 放大器分类及分析 8.1 放大器的分类 8.2 A类放大器的分析 8.3 B类放大器的分析 8.3.1 单端式B类放大器 8.3.2 推挽式B类放大器 8.3.3 过激励B类放大器 8.4 C类放大器的分析 8.5 E类放大器的分析 8.6 F类放大器的分析 8.7 不同种类放大器的比较 参考文献 习题 第9章 放大器设计方法 9.1 放大器的设计 9.1.1 晶体管类型和制造工艺 9.1.2 晶体管尺寸的选择 9.1.3 设计方法 9.1.4 电路拓扑 9.1.5 电路分析和优化 9.1.6 稳定性和热分析 9.2 放大器设计技术 9.2.1 负载线法 9.2.2 低损耗匹配设计技术 9.2.3 非线性设计方法 9.2.4 Taguchi实验法 9.3 匹配网络 9.3.1 电抗/电阻性的匹配 网络 9.3.2 群匹配技术 9.4 放大器设计的例子 9.4.1 低噪放设计 9.4.2 最大增益放大器设计 9.4.3 功放设计 9.4.4 多级驱动放大器的设计 9.4.5 GaAs HBT功放 9.5 基于硅的放大器设计 9.5.1 Si IC LNA 9.5.2 Si IC功率放大器 参考文献 习题 第10章 高效率放大器技术 10.1 高效率设计 10.1.1 过驱动放大器设计 10.1.2 B类放大器设计 10.1.3 E类放大器设计 10.1.4 F类放大器设计 10.2 谐波作用放大器 10.3 谐波注入技术 10.4 谐波控制放大器 10.5 高PAE设计考虑 10.5.1 谐波调节平台 10.5.2 匹配网络损耗计算 10.5.3 匹配网络损耗的减小 参考文献 习题 第11章 宽带放大器 11.1 晶体管的带宽限制 11.1.1 晶体管的增益滚降 11.1.2 变化的输入和输出阻抗 11.1.3 功率-带宽积 11.2 宽带放大技术 11.2.1 电抗/电阻性拓扑 11.2.2 反馈放大器 11.2.3 平衡放大器 11.2.4 分布式放大器 11.2.5 有源宽带匹配技术 11.2.6 共源共栅结构 11.2.7 宽带技术的比较 11.3 宽带功率放大器设计的考虑 事项 11.3.1 拓扑图的选择 11.3.2 器件长宽比 11.3.3 低损耗匹配网络 11.3.4 增益平坦技术 11.3.5 谐波终端 11.3.6 热设计 参考文献 习题 第12章 线性化技术 12.1 非线性分析 12.1.1 单音信号分析 12.1.2 双音信号分析 12.2 相位失真 12.3 功率放大器的线性化技术 12.3.1 脉冲掺杂器件及匹配 优化 12.3.2 预失真技术 12.3.3 前馈技术 12.4 提高线性放大器效率的技术 12.4.1 反相 12.4.2 Doherty 放大器 12.4.3 包络消除与恢复 12.4.4 自适应偏置 12.5 线性放大器的设计 12.5.1 放大器增益 12.5.2 减小源和负载失配 12.6 线性放大器设计实例 参考文献 习题 第13章 高压功率放大器设计 13.1 高压晶体管性能概述 13.1.1 优点 13.1.2 应用 13.2 高压晶体管 13.2.1 Si双极型晶体管 13.2.2 Si LDMOS晶体管 13.2.3 GaAs场板MESFET 13.2.4 GaAs 场板pHEMT 13.2.5 GaAs HBT 13.2.6 SiC MESFET 13.2.7 SiC GaN HEMT 13.3 高压放大器设计的必要 考虑 13.3.1 有源器件的热设计 13.3.2 无源元件的功率处理 13.4 功率放大器设计实例 13.4.1 高压混合放大器 13.4.2 高压单片式放大器 13.5 宽带HV放大器 13.6 串联FET放大器 参考文献 习题 第14章 混合放大器 14.1 混合放大器技术 14.2 印制电路板 14.3 混合集成电路 14.3.1 薄膜MIC技术 14.3.2 厚膜MIC技术 14.3.3 共烧陶瓷和玻璃——陶瓷 技术 14.4 内匹配功率放大器设计 14.5 低噪声放大器 14.5.1 窄带低噪声放大器 14.5.2 超宽带低噪声放大器 14.5.3 宽带分布式低噪声 放大器 14.6 功率放大器 14.6.1 窄带功率放大器 14.6.2 宽带功率放大器 参考文献 习题 第15章 单片放大器 15.1 单片放大器的优点 15.2 单片IC技术 15.2.1 MMIC制作 15.2.2 MMIC基底 15.2.3 MMIC有源器件 15.2.4 MMIC匹配元件 15.3 MMIC设计 15.3.1 CAD工具 15.3.2 设计流程 15.3.3 EM仿真器 15.4 设计实例 15.4.1 低噪声放大器 15.4.2 大功率限幅器/LNA 15.4.3 窄带PA 15.4.4 宽带PA 15.4.5 超宽带PA 15.4.6 高功率放大器 15.4.7 高效率PA 15.4.8 毫米波PA 15.4.9 无线功率放大器设计 实例 15.5 CMOS制造 参考文献 习题 第16章 热设计 16.1 热力学基础 16.2 晶体管热设计 16.2.1 Cooke 模型 16.2.2 单栅热模型 16.2.3 多栅热模型 16.3 放大器热设计 16.4 脉冲工作 16.5 导热槽设计 16.5.1 传导降温和强制降温 16.5.2 设计实例 16.6 热阻测量 16.6.1 IR成像测量 16.6.2 液晶测量 16.6.3 电气测量技术 参考文献 习题 第17章 稳定性分析 17.1 偶模振荡 17.1.1 偶模稳定性分析 17.1.2 偶模振荡消除技术 17.2 奇模振荡 17.2.1 奇模稳定性分析 17.2.2 奇模振荡抑制技术 17.2.3 分布式放大器的不稳 定性 17.3 参数式振荡 17.4 杂散参数式振荡 17.5 低频振荡 参考文献 习题 第18章 偏置网络 18.1 晶体管偏置 18.1.1 晶体管偏置点 18.1.2 偏置方案 18.2 偏置电路设计需要考虑的 条件 18.2.1 微带偏置电路 18.2.2 集总元件偏置电路 18.2.3 高PAE偏置电路 18.2.4 迁移电流限制 18.3 自偏置技术 18.4 多级放大器偏置 18.5 偏置电路的低频稳定性 18.6 偏置顺序 参考文献 习题 第19章 功率合成 19.1 器件级功率合成 19.2 电路级功率合成 19.2.1 功能衰减 19.2.2 功率合成效率 19.3 功分器、 正交混合网络和 耦合器 19.3.1 功分器 19.3.2 90°混合网络 19.3.3 耦合线定向耦合器 19.4 N路合成器 19.5 共同合成器结构 19.6 隔离电阻的功率处理 19.7 空间功率合成 19.8 功率合成技术的比较 参考文献 习题 第20章 集成的功能放大器 20.1 集成的限幅器/LNA 20.1.1 限幅器/LNA拓扑结构 20.1.2 限幅器的要求 20.1.3 肖特基二极管设计与限 幅器结构 20.1.4 10 W限幅器/LNA设计 20.1.5 测试数据与讨论 20.2 发射链 20.2.1 可变增益放大器 20.2.2 可变功率放大器 20.2.3 放大器的温度补偿 20.2.4 功率监视/检测 20.2.5 负载失配保护 20.3 放大器的级联 参考文献 习题 第21章 放大器封装 21.1 放大器封装概述 21.1.1 历史简介 21.1.2 封装类型 21.2 封装材料 21.2.1 陶瓷 21.2.2 高分子化合物 21.2.3 金属 21.3 陶瓷封装设计 21.3.1 RF馈通的设计 21.3.2 腔孔设计 21.3.3 偏置线 21.3.4 陶瓷封装结构 21.3.5 陶瓷封装模型 21.4 塑料封装设计 21.4.1 塑料封装 21.4.2 塑料封装模型 21.5 封装组装 21.5.1 芯片贴装 21.5.2 芯片引线键合 21.5.3 陶瓷封装的组装 21.5.4 塑料封装的组装 21.5.5 密封和包装 21.6 热性能考虑 21.7 封装使用的CAD工具 21.8 功率放大器模块 参考文献 习题 第22章 晶体管和放大器的测量 22.1 晶体管测量 22.1.1 I-V测量 22.1.2 S参数测量 22.1.3 噪声参数测量 22.1.4 源牵引和负载牵引 测量 22.2 放大器测量 22.2.1 使用RF探针测量 22.2.2 驱动放大器和HPA的 测试 22.2.3 大信号输出VSWR 22.2.4 噪声系数测量 22.3 失真测量 22.3.1 AM-AM和AM-PM 22.3.2 IP3/IM3测量 22.3.3 ACPR测量 22.3.4 NPR测量 22.3.5 EVM测量 22.4 相位噪声测量 22.5 恢复时间测量 参考文献 习题 附录A 物理常数和其他数据 附录B 单位和符号 附录C 频带命名 附录D 分贝单位 附录E 数学关系式 附录F 史密斯圆图 附录G 图形符号 附录H 首字母缩略词及缩写词 附录I 符号列表 附录J 多通道与调制技术展开前 言
译 者 序 放大器是射频电子系统中的关键部件， 也是有源电路体系中最早的电路之一， 经过长期的发展， 从真空管放大器到半导体器件再到集成电路， 已经发展得相当成熟。现代功率放大器技术已不再是单纯的类似于早期的功率放大器， 而是一个浓缩的电子系统， 不仅包含模拟电路， 也包含数字电路、基带电路的处理， 调制和解调， 还有软件算法等。尽管在放大器技术方面已有大量的文章和书籍及各种会议论文， 但是还没有一本内容全面且理论与实践相结合的参考书籍， 而这本书弥补了这个空白。 本书的内容包括：放大器的基本知识、放大器的定义、放大器的分类等； 晶体管及模型； 匹配网络电路的基础元件， 如微带线、共面线分立元件及电容、电阻、电感等集总元件； 阻抗匹配技术， 如窄带匹配和宽带匹配技术， 高效放大技术， 宽带放大技术， 线性化技术， 高压放大技术， 混合放大器设计， 单片放大器设计， 热设计稳定性分析， 偏置电路设计， 功率合成， 可集成放大器技术， 放大器的封装， 以及晶体管和放大器的测试技术。书中给出了超过160道的习题， 可以帮助读者检测自身对于放大器的理解和电路设计的熟练程度， 并且一半以上的习题都反映了实际中常见的问题。 本书适用于各个层次的读者， 包括高年级的本科生， 业余无线电爱好者， 也可以作为教师使用的高频电路课程的教学辅导书；对于企业中的科技开发人员和工程技术人员， 也可以通过本书拓宽射频与微波晶体管放大器的知识面。 本书的全部翻译工作由鲍景富和孙玲玲负责。在翻译过程中， 许多研究生也参与了翻译工作， 他们是张东旭、张韧、李晨阳、陶莲娟、王方圆、董华飞、邓成、金绍春、 寇波等。在出版过程中得到了教育部射频电路与系统重点实验室及浙江省电路与系统重中之重学科的支持， 也得到了电子工业出版社编辑的帮助和支持， 在此一并表示感谢。 由于时间仓促， 文字、语句不通或者不正确的地方难免出现， 敬请读者批评指正。 前 言 书中的一些图示、符号、字体沿用了本书英文原版的写作风格， 特此说明。 放大器的使用是解决高性能、低成本的射频和微波前端系统至关重要的方案。到目前为止， 有关放大器知识的文献有很多， 它们大多出现在各种技术期刊、会议论文、书籍的章节甚至整本书之中。然而， 还没有一本将放大器理论和工作实践相结合的综合书籍， 为了填补这个不足， 我们出版了这本书。 本书总结了作者30多年来设计晶体管放大器的各种经验， 作者曾经积极推动了放大器从概念到产品形成的各种类型的设计。该书对射频（RF）与微波低噪声放大器和功率放大器电路进行了详细的介绍， 包括低噪声、窄带、宽带、线性、高功率、高效率和高压放大器， 讨论的主题包含建模、分析、设计、封装、热分析和制作工艺。本书各章相互融合， 覆盖了放大器理论与实践的各个方面。本书内容丰富， 不仅包括具体的实验， 而且包含大量方程、表格、图表和设计实例， 同时还把放大器电路的理论和实际以独特的方式结合在一起， 阐述了与匹配电路、偏置电路和稳定性相关的放大器设计问题。书中的实例(80个以上已有解决方案)能够使读者很容易地理解放大器的设计概念。 简单的设计方程可以帮助读者理解设计概念， 除了书中的很多例子， 本书的160多道习题有助于测试读者的基本放大器知识和电路设计技能。本书强调理论、设计和实际经验， 适合于相关专业的高校生、 教师、 科研工作者和应用工程师使用。要求学生具有固态电路基础、 传输线理论、 电路基本理论、 本科水平的电磁理论等知识。希望读者通过本书获得益处， 理解射频微波晶体管放大器的电路设计。 本书的特色在于对晶体管放大器的深入研究， 给出了大量的设计数学方程和图表， 以及实际的放大器电路设计实例和制作技术的描述。本书从更广的角度来分析固态晶体管放大器， 各章分别阐述了稳定性分析、高效率放大器、宽带放大器、单片式放大器、高压设计、放大器的偏置、热设计、功率合成、集成放大器和放大器的测量。本书并没有给出任何特定的应用， 但是其目的在于用理论和实际的知识给放大器设计提供基本原理的重要背景材料。近几年出版了大量的书籍， 论述了采用硅双极型技术和CMOS技术来设计RF和微波电路已经取得了巨大的进步。由于放大器的设计主要是基于模拟设计的概念并且已有几本有关这方面的著作， 所以此书也只能覆盖有限的范围。 本书分为22章， 每章包含了放大器知识的各个方面。这些章给出了在晶体管放大器中使用的基本原理、 分析方法、 技术特点和设计思路， 提供了RF和微波晶体管放大器分析和设计的基础。每章都有放大器的设计步骤和实例， 这些方法有助于解答学生的任何疑点及提高设计技能。此外， 由于各种元件、设备和电路的技术信息和评论可以丰富读者的微波技术知识， 因此在内容的选择和表达方式方面也希望能满足读者的期望。与其他书籍一样， 为了使读者深入地理解本书， 同样包含或引用了他人的一些富有成效的工作成果。最后， 本书列举了一系列的参考文献， 并且每章之后都附有一组习题。 第1章介绍了晶体管放大器和在商业和军事系统中的应用。第2章建立了基本的放大器分析参数与RF和微波网络的表述， 介绍了基本多端口网络分析工具， 如阻抗、导纳、ABCD参数和散射技术， 根据研究者或设计者的熟悉情况建立多端口网络矩阵的转换关系。 第3章给出了放大器术语的定义和特征。定义了基本的放大器参数， 并简单介绍了可靠性。本章的目的在于定义放大器的特征以备快速参考。第4章是关于晶体管的描述， 包括硅双极型、 GaAs FET和GaAs pHEMT、 GaAs HBT、 Si MOSFET和SiGe HBT， 这些尽管是有限的讨论， 但是对于学生和设计工程师还是很有价值的。第5章是关于线性和非线性晶体管模型， 这些模型确立了等效电路的方程， 也是放大器设计的核心。器件模型在低噪声和低功率方面得到了应用， 这些器件包括MESFET、pHEMT、HBT和MOSFET等。等效电路模型、模型规模、源牵引和负载牵引的特征也在这一章得到了详细的介绍。 第6章给出了传输线和集总元件的基本原理与特征。由于本书主要是针对平面电路， 因此描述了通用的平面传输介质的特点， 如微带线、 共面波导等， 也包含了微带线的不连续性和耦合知识；集总元件设计的电容器、电感器和电阻器在本章最后给出。这些知识很自然地在第7章继续讨论， 并重点分析阻抗匹配网络， 它是微波电路与系统的基础。第7章讨论了阻抗匹配电路的窄带和宽带设计技术与应用， 最后考虑了实际的实现方法。 第8章讨论了各类放大器的通用分析方法， 也给出了多种用于高效率应用的放大器的分类比较。高效率放大器可通过工作在B类或C类的晶体管获得， 也可以通过工作在E类或F类的负载阻抗获得。开关模式的E类调谐功率放大器在RF低频段方面得到广泛使用， 而F类放大器的方法可上升到较高的微波频段。实际的高效率放大器设计在以后的各章中会有详细的描述。 接下来的5章描述了放大器的设计， 第9章是关于放大器的多种设计方法。基本的放大器设计方法包括线性和非线性。采用强大的CAD工具， 通过时域和频域仿真的非线性电路分析对不同应用的功率放大器进行设计和优化， 其中的优势包括预测非线性行为的准确性， 使复杂的单片微波集成电路（MMIC）设计一次成功， 缩短了开发时间并节约了研制成本。本章列出了GaAs FET、pHEMT、HBT和Si CMOS、 SiGe HBT放大器的设计步骤和典型的设计实例。以第8章中的资料为背景， 第10章中讨论了高效率放大器的设计技术， 对重要部分进行了深入的描述， 从过驱动A类放大器到高PAE谐波调整技术， 讨论了高效率放大器的设计实例和重要的设计思想。 第11章介绍了宽带放大器的设计。放大器的带宽也是一个重要的参数， 考虑了几种宽带放大器的设计方法， 包括电抗/电阻式、 反馈、 平衡和分布式放大器。讨论了宽带放大器的关键设计考虑， 这些电路具有广泛的应用， 尤其是在电子战、对抗技术和支持系统中。第12章描述了线性放大器的设计， 强调了元件在设计过程中的重要性和每个元件在不同电路中的设计考虑及设计限制等。线性化技术同设计过程、实现方法和特殊的要求一起讨论。 第13章介绍了高压晶体管， 其技术发展飞快并获得了广泛的认可和应用。讨论了基于放大器的高压晶体管的优、 缺点， 考虑了硅双极型晶体管、LDMOS、GaAs MESFET、pHEMT和HBT、SiC MESFET、 GaN HEMT器件及它们的设计技术。描述了混合式和单片式高压放大器， 分析了采用数个低压晶体管级联式的高压工作模式。 通过前面章节的学习， 希望读者学会微波集成电路（MIC）放大器的设计和制作， 基于多年的经验， 作者认为这些电路的制作是比较复杂的。第14章和第15章给出了混合式和单片式MIC放大器的类型、设计考虑、制作步骤及设计准则， 其中列举了大量的资料， 希望读者对混合MIC和单片MIC设计与制作的基底和材料有更好的选择， 并列举了混合MIC放大器的实例。第15章涉及MMIC放大器， 讨论了放大器的几种类型， 并给出了一些MMIC实例。 接下来的4章主要阐述了几种放大器类型的实际设计，包括热设计、稳定性分析、偏置网络和功率合成。第16章描述了功率放大器的热设计， 讨论了晶体管和放大器的通道温度计算模型及热电阻的现实问题。第17章从理论和实际角度出发， 通过几个例子讨论了放大器的稳定性。 第18章介绍了偏置电路， 它也是科学设计放大器的另一个重要方面。首先讨论了晶体管的偏置类型， 然后是偏置网络的详细描述， 以及多级放大器的偏置电路和功率放大器偏置的低频稳定性。第19章概述了功率合成技术。描述了功率合成技术的基本原理， 阐述了器件级和电路级合成技术之间的不同点， 包含功率合成器、混合器和耦合器的设计与分析方法。 其中给出了基于组合HPA而形成的多芯片MMIC的实例。 当代商业和军事系统中的放大器应用要求有较高的性价比。获得低成本的一种最常用的方法是在单一的MMIC放大器芯片或一个封装和组件上集成更多的功能。例如， 高集成度的MMIC芯片减少了芯片数量和互连线路， 进而减小了测试难度， 降低了模块和子系统的成本， 并增加了可靠性。第20章给出了集成类型的实例， 如限幅器/LAN、发射传输链、增益和输出功率可变的放大器、 放大器的嵌入功率监控电路、 增益温度补偿及输出失配保护。 第21章介绍了放大器的封装。描述了塑料和陶瓷封装， 详细介绍了陶瓷封装和腔体设计， 简单讲解了芯片焊接和引线键合技术。第22章包含了放大器和晶体管的测量。首先介绍了晶体管的特点， 然后是放大器测试， 如S参数、噪声系数、源牵引和负载牵引、电压驻波比、输出和输入功率的关系、PAE、谐波、失真、相位噪声及恢复时间。最后， 为了读者的设计方便， 本书中增加了一些附录。 对于本科高年级学生或研究生， 本书内容足够用于一学年的课程。合理选择特定的章节， 可以使本书用于一学期、 两学期或半学期的课程。大部分章节的最后给出了习题， 并且已经在课堂上测试了习题的难度和复杂度， 保证这些习题适用于学生。 感谢那些在微波工程进步中做出了先驱工作的同事们， 以及感激指引作者进入微波放大器领域的Edward L.Griffin博士， 他审阅了本书的原稿并提出了许多宝贵的意见。在Tyco Electronics和其他地方的许多朋友和合作者对本书的完整性起到了积极的作用。特别感谢George Studtmann先生， 他认真审阅和仔细编辑了全部原稿， 对修辞的改进提出了许多建议， 同时提供了许多HBT放大器的例子。对于Mark Dayton、Andy Peake、Tom Winslow、Jain Zhao、James Perdue和Gordon Tracy的大力支持, 作者表示衷心的感谢。为了本书的编写和出版， 相关的工作部门和一些赞助个人起到了决定性的作用， 他们是David Conway、Michael Rachlin、Janice Blackwood和Neil Alls。Linda Blankenship熟练地将本书手写稿转化为Word文档， 在此特别感谢。感谢Tyco Electronics的支持和鼓励， 此书能够顺利出版还得益于George Telecki的大力支持， 以及Lucy Hitz和Lisa Morano等John Wiley ＆ Sons公司员工的努力。 最后， 要对我的妻子Subhash Bahl表示深深的感激， 由于她无微不至的关爱和默默无闻的支持， 使我得以完成这项艰巨的任务。还要感谢我的女儿Preeti、女婿Ashutosh、儿子Puneet、孙子Karan和Rohan， 我们互相鼓励和支持， 这些成绩也应更多地归功于他们。 Inder J. Bahl展开作者简介
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