目    录
第1章  半导体中的电子运动状态	1
1.1  半导体材料	1
1.1.1  半导体材料的原子构成	1
1.1.2  半导体材料的结构	3
1.1.3  金刚石结构	8
1.1.4  固体的缺陷与杂质	10
1.2  量子力学初步	11
1.2.1  量子力学的基本原理	12
1.2.2  薛定谔方程及其波函数的意义	13
1.2.3  薛定谔方程的应用——自由电子与束缚态电子	15
1.2.4  薛定谔方程的应用——单电子原子中电子的状态	20
1.2.5  薛定谔方程的应用——多电子原子中电子的状态	23
1.3  晶体中电子的运动状态	25
1.3.1  能带的形成	26
1.3.2  一维无限晶体的能带	29
1.3.3  半导体的价键模型和能带模型	33
1.3.4  半导体的有效质量	36
1.3.5  空穴	38
1.3.6  金属、半导体和绝缘体的能带与导电性能差异	41
1.3.7  三维无限晶体的能带	42
习题1	44
第2章  平衡半导体中的载流子浓度	46
2.1  状态密度函数	46
2.2  费米-狄拉克分布函数	49
2.3  平衡载流子浓度	55
2.3.1  平衡半导体中载流子浓度的公式	57
2.3.2  本征半导体中的载流子浓度	60
2.3.3  载流子浓度的乘积	63
2.3.4  本征费米能级位置	63
2.4  只含一种杂质的杂质半导体中的载流子浓度	64
2.4.1  施主杂质和受主杂质	64
2.4.2  施主杂质能级上的电子和受主杂质能级上的空穴	69
2.4.3  电中性条件	70
2.5  补偿半导体的载流子浓度	76
2.6  费米能级的位置	77
2.7  简并半导体	83
2.7.1  简并半导体的载流子浓度	84
2.7.2  禁带变窄效应	85
习题2	86
第3章  载流子的输运	89
3.1  载流子的热运动	89
3.2  载流子的漂移运动	90
3.2.1  漂移电流密度	91
3.2.2  迁移率	93
3.2.3  电导率和电阻率	100
3.3  载流子的扩散运动	104
3.4  爱因斯坦关系	106
3.4.1  电场作用下的能带图	106
3.4.2  爱因斯坦关系的推导	107
3.5  霍尔效应	109
习题3	111
第4章  过剩载流子	113
4.1  载流子的产生和复合	113
4.1.1  决定载流子产生率的因素	114
4.1.2  决定载流子复合率的因素	115
4.1.3  热平衡状态下载流子的产生和复合	115
4.1.4  外力作用下载流子的产生和复合	116
4.2  准费米能级	118
4.3  过剩载流子的性质	120
4.3.1  载流子的连续性方程	120
4.3.2  与时间有关的扩散方程	121
4.4  双极输运及其输运方程	122
4.4.1  双极输运的概念	122
4.4.2  双极输运方程	123
4.4.3  小注入条件下的双极输运方程	124
4.4.4  双极输运方程应用	126
习题4	131
第5章  pn结	133
5.1  pn结的形成及其基本结构	133
5.1.1  合金法及形成的pn结的杂质分布	133
5.1.2  扩散法及形成的pn结的杂质分布	134
5.2  平衡pn结及其能带	135
5.2.1  平衡pn结	136
5.2.2  平衡pn结的能带	137
5.3  平衡pn结的参数	139
5.3.1  内建电势差	139
5.3.2  平衡pn结的内建电场强度及电势分布函数	143
5.3.3  空间电荷区宽度	147
5.3.4  空间电荷区的载流子浓度	150
5.3.5  线性缓变结的静电特性	151
5.4  pn结二极管的电流-电压特性方程	152
5.4.1  静电特性结果在外加电压pn结中的推广	153
5.4.2  pn结电流-电压特性方程的定性推导	156
5.4.3  pn结电流-电压特性方程的定量推导	157
5.4.4  对理想pn结电流-电压关系的修正	169
5.5  pn结的小信号模型	173
5.5.1  pn结反偏时的小信号模型	174
5.5.2  pn结正偏时的小信号模型	177
5.6  pn结二极管的瞬态响应	180
5.6.1  关瞬态	180
5.6.2  开瞬态	182
5.7  隧道二极管	183
5.8  pn结在光电器件中的应用	184
5.8.1  光电检测器	185
5.8.2  太阳能电池	189
5.8.3  发光二极管	191
习题5	194
第6章  器件制备基本工艺	197
6.1  器件制备基本工艺	197
6.1.1  衬底材料的准备	198
6.1.2  氧化	198
6.1.3  薄膜生长	199
6.1.4  薄膜的图形化	201
6.1.5  掺杂	202
6.2  pn结二极管的制备	203
习题6	205
第7章  金属半导体接触和异质结	206
7.1  金属半导体接触	206
7.1.1  金属和半导体的功函数	206
7.1.2  理想的金属半导体接触	207
7.1.3  表面态对金属半导体接触势垒的影响	211
7.1.4  理想金属半导体接触的特性	212
7.1.5  金属半导体接触的电流-电压关系	214
7.1.6  镜像力的影响	216
7.1.7  肖特基势垒二极管和pn结二极管的比较	216
7.1.8  欧姆接触	218
7.2  异质结	218
7.2.1  异质结的分类及其能带图	218
7.2.2  突变反型异质结的静电特性	222
7.3  异质结的电流-电压特性	224
7.3.1  突变反型异质结中的电流输运模型	225
7.3.2  突变同型异质结中的电流输运模型	227
7.3.3  异质结的注入比特性	227
习题7	228
第8章  双极晶体管	230
8.1  双极晶体管的基本情况	230
8.1.1  双极晶体管的结构	230
8.1.2  双极晶体管的特性参数	234
8.2  双极晶体管的电流-电压特性	235
8.2.1  理想晶体管模型及其求解	235
8.2.2  理想晶体管输入/输出特性曲线	240
8.2.3  非理想晶体管	242
8.2.4  非理想晶体管输入/输出特性曲线	245
8.3  晶体管的反向特性	247
8.3.1  晶体管的反向电流	247
8.3.2  晶体管的反向击穿电压	249
8.3.3  晶体管的穿通电压	250
8.4  晶体管模型和晶体管频率特性	250
8.4.1  Ebers-Moll模型	250
8.4.2  晶体管的频率特性	252
习题8	256
附录A  本书常用文字符号说明	257
附录B  常用表格	260
参考文献	261